Un equipo de investigación de IBM y el Instituto Tecnológico de Georgia ha fabricado un transistor de silicio-germanio capaz de operar a 350 GHz a temperatura ambiente. Este mismo transistor a temperaturas cercanas al cero absoluto puede alcanzar los 500 GHz y las simulaciones realizadas indican que podrían alcanzar velocidades cercanas a un THz (1000 GHz) a temperatura ambiente.
Al margen de lo increíble de la noticia, ¿350 GHz a temperatura ambiente? No termino de creérmelo.
Vía meneame > Georgia Tech.
No hay comentarios.:
Publicar un comentario